Mosfet 1a

Posted : admin | On 02-05-2021

Mosfet 1a Model
Mosfet 1am

IRF7341Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

MOSFET (Metal Oxide) 50V: 9.1A (Ta) 6-UDFN Exposed Pad: DMN100-7-F: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3: N-Channel: MOSFET (Metal Oxide) 30V: 1.1A (Ta) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3: DMT10H072LFDFQ-7: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN: N-Channel: MOSFET (Metal Oxide) 100V: 4A (Ta) 6-UDFN Exposed Pad: ZXMN10A07ZTA: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3: N-Channel: MOSFET.
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK: P-Channel: MOSFET (Metal Oxide) 100V: 3.1A (Tc) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63: SI4455DY-T1-E3: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC: P-Channel: MOSFET (Metal Oxide) 150V: 2.8A (Tc) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) IRFD9010PBF: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP: P-Channel: MOSFET (Metal Oxide) 50V: 1.1A (Tc) 4-DIP (0.300', 7.

MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3: P-Channel: MOSFET (Metal Oxide) 30V: 1A (Ta) 3-SMD, Flat Lead: RQ6E030SPTR: RQ6E030SP IS THE LOW ON - RESIST: P-Channel: MOSFET (Metal Oxide) 30V: 3A (Ta) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6: RQ6A045APTCR: RQ6A045AP IS THE LOW ON-RESISTAN: P-Channel: MOSFET (Metal Oxide) 12V: 4.5A (Ta) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6: RTF010P02TL.

Наименование прибора: IRF7341Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Shazam for more.

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 29 nC

Время нарастания (tr): 7.7 ns

Выходная емкость (Cd): 190 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO8

IRF7341Q Datasheet (PDF)

0.1. auirf7341q.pdf Size:403K _1

Mosfet 1a Model

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7341Q VDSS Features 1 8 55V S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7G1 D1RDS(on) typ. 0.0433 6 Ultra Low On-Resistance S2 D24 5 max. Logic Level Gate Drive G2 D20.050 Dual N Channel MOSFET Top View ID 5.1A Surface Mount Available in Tape & Reel 175C Operating Temperature Lead-Free, RoHS Co

0.2. irf7341q.pdf Size:156K _1

PD - 94391BIRF7341QTypical Applications HEXFET Power MOSFET Anti-lock Braking Systems (ABS) Electronic Fuel InjectionVDSS RDS(on) max ID Air bag 55V 0.050@VGS = 10V 5.1ABenefits Advanced Process Technology0.065@VGS = 4.5V 4.42A Dual N-Channel MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

0.3. irf7341q.pdf Size:137K _international_rectifier

PD - 94391AIRF7341QTypical Applications HEXFET Power MOSFET Anti-lock Braking Systems (ABS) Electronic Fuel InjectionVDSS RDS(on) max ID Air bag 55V 0.050@VGS = 10V 5.1ABenefits Advanced Process Technology0.065@VGS = 4.5V 4.42A Dual N-Channel MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Другие MOSFET.. IRF6723M2D, IRFI4019H-117P, IRF8513, IRF7101, IRFI4019HG-117P, IRF7103, IRLHS6276, IRF7103Q, 2SK3569, IRF7905, IRF7907, IRF8910, IRF7351, IRLHS6376, IRF7902, IRF8915, IRF7331.

Список транзисторов

Mosfet 1am

Обновления